ChipSourceHub 美芯科技
English发起询盘

搜索结果

第三方参考

来源：第三方数据源非原厂公告

2 个原型号
原型号

70V657S12BF

Renesas Electronics Corporation

查看详情 · 1 条候选
  • 70V657S12BFIRenesas Electronics Corporation相似型号
原型号

70V657S15BF

Renesas Electronics Corporation

查看详情 · 1 条候选

命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

  • 70V657S12BFIRenesas Electronics Corporation相似型号

技术资料参考

芯片技术资料

7 条型号记录

型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。

70V657S12BF

IDT

主要参数包括存储容量 1 Mbit、电源电压（最大值） 3.45 V、电源电压（最小值） 3.15 V、接口类型 Parallel、存储器类型 SDR、类型 Asynchronous，采用 CABGA-208 封装。

半导体 > Memory ICs > SRAM
查看技术资料

70V657S12BF8

IDT

主要参数包括高度 1.4 mm、长度 15 mm、宽度 15 mm、湿敏性 是、型号别名 70V657 IDT70V657S12BF8，采用 CABGA-208 封装。

半导体 > Memory ICs > SRAM
查看技术资料

70V657S12BFGI

IDT

主要参数包括存储容量 1 Mbit、电源电压（最大值） 3.45 V、电源电压（最小值） 3.15 V、接口类型 Parallel、存储器类型 SDR、类型 Asynchronous，采用 CABGA-208 封装。

半导体 > Memory ICs > SRAM
查看技术资料

70V657S12BFGI8

IDT

主要参数包括高度 1.4 mm、长度 15 mm、宽度 15 mm、湿敏性 是、型号别名 70V657 IDT70V657S12BFGI8，采用 CABGA-208 封装。

半导体 > Memory ICs > SRAM
查看技术资料

70V657S12BFI

IDT

主要参数包括存储容量 1 Mbit、电源电压（最大值） 3.45 V、电源电压（最小值） 3.15 V、接口类型 Parallel、存储器类型 SDR、类型 Asynchronous，采用 CABGA-208 封装。

半导体 > Memory ICs > SRAM
查看技术资料

70V657S12BFI

Renesas Electronics

主要参数包括存储容量 1 Mbit、电源电压（最大值） 3.45 V、电源电压（最小值） 3.15 V、接口类型 Parallel、存储器类型 SDR、类型 Asynchronous，采用 CABGA-208 封装。

半导体 > Memory ICs > SRAM
查看技术资料

70V657S12BFI8

IDT

主要参数包括高度 1.4 mm、长度 15 mm、宽度 15 mm、湿敏性 是、型号别名 70V657 IDT70V657S12BFI8，采用 CABGA-208 封装。

半导体 > Memory ICs > SRAM
查看技术资料