70V28L20PFGI8
IDT
主要参数包括存储容量 1 Mbit、电源电压(最大值) 3.6 V、电源电压(最小值) 3 V、接口类型 Parallel、存储器类型 SDR、类型 Asynchronous,采用 TQFP-100 封装。
半导体 > Memory ICs > SRAM1 条原型号记录
| 原型号 | 制造商 | 资料列出的替代型号 | 公告记录日期 | 资料 |
|---|---|---|---|---|
| 70V28L15PFGI8 | Renesas |
| 2022-02-28 | 查看资料 |
技术资料参考
型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
IDT
主要参数包括存储容量 1 Mbit、电源电压(最大值) 3.6 V、电源电压(最小值) 3 V、接口类型 Parallel、存储器类型 SDR、类型 Asynchronous,采用 TQFP-100 封装。
半导体 > Memory ICs > SRAMRenesas Electronics
主要参数包括存储容量 1 Mbit、电源电压(最大值) 3.6 V、电源电压(最小值) 3 V、接口类型 Parallel、存储器类型 SDR、类型 Asynchronous,采用 TQFP-100 封装。
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