70V25L25PFGI
IDT
主要参数包括存储容量 128 kbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、接口类型 Parallel、存储器类型 SDR、类型 Asynchronous，采用 TQFP-100 封装。
半导体 > Memory ICs > SRAM搜索结果
原厂资料
2 条原型号记录
| 原型号 | 制造商 | 资料列出的替代型号 | 公告记录日期 | 资料 |
|---|---|---|---|---|
| 70V25L35PFGI | Renesas |
| 2022-02-28 | 查看资料 |
| 70V25L35PFGI8 | Renesas |
| 2022-02-28 | 查看资料 |
技术资料参考
芯片技术资料
型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
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70V25L25PFGI
Renesas Electronics
主要参数包括存储容量 128 kbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、接口类型 Parallel、存储器类型 SDR、类型 Asynchronous，采用 TQFP-100 封装。
半导体 > Memory ICs > SRAM70V25L25PFGI8
IDT
主要参数包括存储容量 128 kbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、接口类型 Parallel、存储器类型 SDR、类型 Asynchronous，采用 TQFP-100 封装。
半导体 > Memory ICs > SRAM70V25L25PFGI8
Renesas Electronics
主要参数包括存储容量 128 kbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、接口类型 Parallel、存储器类型 SDR、类型 Asynchronous，采用 TQFP-100 封装。
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