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原厂资料

4 条原型号记录

原型号制造商资料列出的替代型号公告记录日期资料
70V24L12PFGI8Renesas
  • 70V24L15PFGI8
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70V24L17PFGI8Renesas
  • 70V24L15PFGI8
2023-12-05查看资料
70V24S12PFGI8Renesas
  • 70V24L15PFGI8
2023-12-05查看资料
70V24S17PFGI8Renesas
  • 70V24L15PFGI8
2023-12-05查看资料

技术资料参考

芯片技术资料

2 条型号记录

型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。

70V24L15PFGI8

IDT

主要参数包括存储容量 64 kbit、电源电压(最大值) 3.6 V、电源电压(最小值) 3 V、数据速率 32 位、存储器类型 SRAM、类型 High Speed Low Power 3.3 V Dual Port Static RAM,采用 TQFP-100 封装。

半导体 > Memory ICs > SRAM
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70V24L15PFGI8

Renesas Electronics

主要参数包括存储容量 64 kbit、电源电压(最大值) 3.6 V、电源电压(最小值) 3 V、接口类型 Parallel、数据速率 32 位、存储器类型 SRAM,采用 TQFP-100 封装。

半导体 > Memory ICs > SRAM
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