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Renesas Electronics Corporation
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Renesas Electronics Corporation
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技术资料参考
芯片技术资料
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70V08L20PFGI
IDT
主要参数包括存储容量 512 kbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、接口类型 Parallel、存储器类型 SDR、类型 Asynchronous，采用 TQFP-100 封装。
半导体 > Memory ICs > SRAM70V08L20PFGI
Renesas Electronics
主要参数包括存储容量 512 kbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、接口类型 Parallel、存储器类型 SDR、类型 Asynchronous，采用 TQFP-100 封装。
半导体 > Memory ICs > SRAM70V08L20PFGI8
IDT
主要参数包括存储容量 512 kbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、接口类型 Parallel、存储器类型 SDR、类型 Asynchronous，采用 TQFP-100 封装。
半导体 > Memory ICs > SRAM70V08L20PFGI8
Renesas Electronics
主要参数包括存储容量 512 kbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、接口类型 Parallel、存储器类型 SDR、类型 Asynchronous，采用 TQFP-100 封装。
半导体 > Memory ICs > SRAM