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来源：第三方数据源非原厂公告

2 个原型号
原型号

70V08L15PFG

Renesas Electronics Corporation

查看详情 · 1 条候选
  • 70V08L20PFGIRenesas Electronics Corporation相似型号
原型号

70V08L15PFG8

Renesas Electronics Corporation

查看详情 · 1 条候选
  • 70V08L20PFGI8Renesas Electronics Corporation相似型号

技术资料参考

芯片技术资料

2 条型号记录

型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。

70V08L15PFG

IDT

主要参数包括存储容量 512 kbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、接口类型 Parallel、存储器类型 SDR、类型 Asynchronous，采用 TQFP-100 封装。

半导体 > Memory ICs > SRAM
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70V08L15PFG8

IDT

主要参数包括存储容量 512 kbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、接口类型 Parallel、存储器类型 SDR、类型 Asynchronous，采用 TQFP-100 封装。

半导体 > Memory ICs > SRAM
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