7027S55G
IDT
主要参数包括存储容量 512 kbit、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 4.5 V、接口类型 Parallel、存储器类型 SDR、类型 Asynchronous,采用 PGA-108 封装。
半导体 > Memory ICs > SRAM技术资料参考
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IDT
主要参数包括存储容量 512 kbit、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 4.5 V、接口类型 Parallel、存储器类型 SDR、类型 Asynchronous,采用 PGA-108 封装。
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