原型号
查看详情 · 1 条候选7027L15PF
Renesas Electronics Corporation
命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示
- 7027L15PFGRenesas Electronics Corporation直接替代候选
1 条原型号记录
| 原型号 | 制造商 | 资料列出的替代型号 | 公告记录日期 | 资料 |
|---|---|---|---|---|
| 7027L20PFG | Renesas |
| 2022-02-28 | 查看资料 |
来源:第三方数据源非原厂公告
Renesas Electronics Corporation
命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示
技术资料参考
型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
IDT
主要参数包括存储容量 512 kbit、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 4.5 V、接口类型 Parallel、存储器类型 SDR、类型 Asynchronous,采用 TQFP-100 封装。
半导体 > Memory ICs > SRAMRenesas Electronics
主要参数包括存储容量 512 kbit、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 4.5 V、接口类型 Parallel、存储器类型 SDR、类型 Asynchronous,采用 TQFP-100 封装。
半导体 > Memory ICs > SRAMIDT
主要参数包括存储容量 512 kbit、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 4.5 V、接口类型 Parallel、存储器类型 SDR、类型 Asynchronous,采用 TQFP-100 封装。
半导体 > Memory ICs > SRAM