1N6844
Microchip / Microsemi
该型号为二极管，主要参数包括技术 Si、产品 Schottky Rectifiers、正向电流（If） 20 A、重复反向电压（Vrrm） 100 V、正向电压（Vf） 1 V、正向浪涌电流（Ifsm） 250 A，采用 SMD-0.5-3 封装。
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1N6844
Microchip Technology
该型号为二极管，主要参数包括技术 Si、产品 Schottky Rectifiers、正向电流（If） 20 A、重复反向电压（Vrrm） 100 V、正向电压（Vf） 1 V、正向浪涌电流（Ifsm） 250 A，采用 SMD-0.5-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & Rectifiers1N6844U3
Microchip / Microsemi
该型号为二极管，主要参数包括技术 Si、产品 Schottky Rectifiers、正向电流（If） 20 A、重复反向电压（Vrrm） 100 V、正向电压（Vf） 1 V、正向浪涌电流（Ifsm） 250 A，采用 SMD-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & Rectifiers1N6844U3
Microchip Technology
该型号为二极管，主要参数包括技术 Si、产品 Schottky Rectifiers、配置 Single、正向电流（If） 20 A、重复反向电压（Vrrm） 100 V、正向电压（Vf） 1 V，采用 SMD-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & RectifiersATA6844-PLQW
Microchip Technology / Atmel
主要参数包括技术 Si。
半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Gate DriversAWRL6844DBGANCRQ1
Texas Instruments
主要参数包括最大时钟频率 200 MHz、数据 RAM 容量 2.5 MB、ADC 分辨率 12 位、电源电压（最小值） 1.14 V、电源电压（最大值） 1.26 V、工作电源电压 1.14～1.26 V，采用 FCCSP-207 封装。
半导体 > 集成电路 > 嵌入式处理器与控制器 > RF System on a Chip - SoCBCM56844A1IFRBLG
Broadcom
该型号为集成电路。
半导体 > 集成电路 > Communication & Networking ICs > Ethernet ICsBCM56844A1KFRBLG
Broadcom
该型号为集成电路。
半导体 > 集成电路 > Communication & Networking ICs > Ethernet ICsBCM56844A1KFTBLG
Broadcom
该型号为集成电路。
半导体 > 集成电路 > Communication & Networking ICs > Ethernet ICsJAN1N6844U3
Microchip / Microsemi
该型号为二极管，主要参数包括技术 Si，采用 Through Hole 封装。
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