651MILF
IDT
主要参数包括电源电压（最大值） 2.625 V、电源电压（最小值） 1.425 V、最大输入频率 200 MHz、最大输出频率 200 MHz、输入类型 LVCMOS、输出类型 LVCMOS，采用 SOIC-8 封装。
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651MILFT
IDT
主要参数包括高度 1.5 mm、长度 4.9 mm、宽度 3.9 mm、型号别名 651 ICS651MILFT、单件重量 0.019048 oz，采用 SOIC-8 封装。
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