6116SA25TPGIDT主要参数包括存储容量 16 kbit、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 4.5 V、接口类型 Parallel、存储器类型 SDR、类型 Asynchronous,采用 PDIP-24 封装。半导体 > Memory ICs > SRAM查看技术资料
6116SA25TPGIIDT主要参数包括存储容量 16 kbit、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 4.5 V、接口类型 Parallel、存储器类型 SDR、类型 Asynchronous,采用 PDIP-24 封装。半导体 > Memory ICs > SRAM查看技术资料