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Renesas Electronics Corporation
- 6116LA25SOGI8Renesas Electronics Corporation相似型号
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原型号
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Renesas Electronics Corporation
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- 6116LA20SOGRenesas Electronics Corporation相似型号
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芯片技术资料
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6116LA20SOG
IDT
主要参数包括存储容量 16 kbit、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4.5 V、接口类型 Parallel、存储器类型 SDR、类型 Asynchronous，采用 SOIC-24 封装。
半导体 > Memory ICs > SRAM6116LA20SOG
Renesas Electronics
主要参数包括存储容量 16 kbit、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4.5 V、接口类型 Parallel、存储器类型 SRAM、类型 Asynchronous，采用 SOIC-24 封装。
半导体 > Memory ICs > SRAM6116LA20SOG8
IDT
主要参数包括存储容量 16 kbit、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4.5 V、接口类型 Parallel、存储器类型 SDR、类型 Asynchronous，采用 SOIC-24 封装。
半导体 > Memory ICs > SRAM6116LA20SOGI
IDT
主要参数包括存储容量 16 kbit、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4.5 V、接口类型 Parallel、存储器类型 SDR、类型 Asynchronous，采用 SOIC-24 封装。
半导体 > Memory ICs > SRAM6116LA20SOGI8
IDT
主要参数包括存储容量 16 kbit、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4.5 V、接口类型 Parallel、存储器类型 SDR、类型 Asynchronous，采用 SOIC-24 封装。
半导体 > Memory ICs > SRAM