5T30553DCG
IDT
主要参数包括电源电压(最大值) 5.25 V、电源电压(最小值) 2.375 V、最大输入频率 200 MHz、输出数 4 Output、传播延迟(最大值) 3 ns、最小工作温度 0 C,采用 SOIC-8 封装。
半导体 > 集成电路 > Clock & Timer ICs > Clock Buffer4 条原型号记录
| 原型号 | 制造商 | 资料列出的替代型号 | 公告记录日期 | 资料 |
|---|---|---|---|---|
| 5T30553DCG | Renesas |
| 2023-04-14 | 查看资料 |
| 5T30553DCG8 | Renesas |
| 2023-04-14 | 查看资料 |
| 5T30553DCGI | Renesas |
| 2023-04-14 | 查看资料 |
| 5T30553DCGI8 | Renesas |
| 2023-04-14 | 查看资料 |
技术资料参考
型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
IDT
主要参数包括电源电压(最大值) 5.25 V、电源电压(最小值) 2.375 V、最大输入频率 200 MHz、输出数 4 Output、传播延迟(最大值) 3 ns、最小工作温度 0 C,采用 SOIC-8 封装。
半导体 > 集成电路 > Clock & Timer ICs > Clock BufferIDT
主要参数包括高度 1.5 mm、长度 4.9 mm、宽度 3.9 mm、型号别名 5T30553 IDT5T30553DCG8、单件重量 0.019048 oz,采用 SOIC-8 封装。
半导体 > 集成电路 > Clock & Timer ICs > Clock BufferIDT
主要参数包括电源电压(最大值) 5.25 V、电源电压(最小值) 2.375 V、最大输入频率 200 MHz、输出数 4 Output、传播延迟(最大值) 3 ns、最小工作温度 - 40 C,采用 SOIC-8 封装。
半导体 > 集成电路 > Clock & Timer ICs > Clock BufferIDT
主要参数包括高度 1.5 mm、长度 4.9 mm、宽度 3.9 mm、型号别名 5T30553 IDT5T30553DCGI8、单件重量 0.019048 oz,采用 SOIC-8 封装。
半导体 > 集成电路 > Clock & Timer ICs > Clock Buffer