5458
Adafruit
主要参数包括存储容量 144 位、工作频率 13.56 MHz、原产国家或地区 中国，采用 Non-standard 封装。
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技术资料参考
芯片技术资料
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2N5458
Central Semiconductor
主要参数包括类型 JFET、晶体管极性 N-Channel、配置 Single、漏源击穿电压（Vds） 25 V、栅源击穿电压（Vgs） 25 V、栅源电压为零时的漏源电流 2～9 mA，采用 TO-92 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > JFET2N5458 PBFREE
Central Semiconductor
主要参数包括技术 Si、晶体管极性 N-Channel、原产国家或地区 IN、单件重量 0.016000 oz。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > JFETsMMBF5458
ON Semiconductor / Fairchild
主要参数包括工作温度范围 - 55 C to + 150 C、类型 JFET、晶体管极性 N-Channel、配置 Single、栅源击穿电压（Vgs） - 25 V、栅源电压为零时的漏源电流 6～15 mA，采用 SOT-23-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > JFETR5458L102AA-TR
Ricoh Electronic Devices Company
主要参数包括工作电源电压 1.5～5 V、输出电压 4.55 V、电池类型 Li-Ion, Li-Polymer、产品 Battery Protection、工作电源电流 1.5 uA、最小工作温度 - 40 C，采用 DFN1814-6C 封装。
半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Battery ManagementR5458L104AA-TR
Ricoh Electronic Devices Company
主要参数包括工作电源电压 1.5～5 V、输出电压 5 V、电池类型 Li-Ion, Li-Polymer、产品 Battery Protection、工作电源电流 1.5 uA、最小工作温度 - 40 C，采用 DFN1814-6 封装。
半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Battery ManagementSI5458DU-T1-GE3
Vishay / Siliconix
主要参数包括技术 Si、商品名称 TrenchFET、高度 0.75 mm、长度 3 mm、宽度 1.8 mm、型号别名 SI5458DU-GE3，采用 PowerPAK-ChipFET-8 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETWX6-7615458-2-EL
Vicor
主要参数包括商品名称 MegaPAC。
半导体 > Memory ICs > Multichip Packages