50034
Murrelektronik
该型号为晶体管，主要参数包括输出类型 Triac、最小工作温度 - 20 C、最大工作温度 + 60 C、原产国家或地区 CZ。
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芯片技术资料
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SQD50034EL_GE3
Vishay / Siliconix
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 60 V、连续漏极电流（Id） 100 A、漏源导通电阻（Rds On） 3.3 mOhms，采用 TO-252-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETSQD50034E_GE3
Vishay / Siliconix
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 60 V、连续漏极电流（Id） 100 A，采用 TO-252-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETSQM50034EL_GE3
Vishay / Siliconix
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 60 V、连续漏极电流（Id） 100 A、漏源导通电阻（Rds On） 3.2 mOhms，采用 TO-263-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETSQM50034E_GE3
Vishay / Siliconix
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 60 V、连续漏极电流（Id） 100 A，采用 TO-263-3 封装。
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