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来源：第三方数据源非原厂公告

3 个原型号
原型号

S-19104N48H-M5T1U

ABLIC Inc.

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  • S-19102N48H-M5T1UABLIC Inc.参数相近
原型号

S-19106N48H-M5T1U

ABLIC Inc.

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  • S-19104N48H-M5T1UABLIC Inc.参数相近
原型号

S-19108N48H-M5T1U

ABLIC Inc.

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  • S-19104N48H-M5T1UABLIC Inc.参数相近

技术资料参考

芯片技术资料

10 条型号记录

型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。

4N48

Optek / TT Electronics

该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 1 mA、最大集电极－发射极电压 40 V、最大集电极电流 50 mA、隔离电压 1000 VDC，采用 TO-78-6 封装。

半导体 > 集成电路 > Optocouplers / Photocouplers > Transistor Output Optocouplers
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JAN4N48

Optek / TT Electronics

该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 1 mA、最大集电极－发射极电压 40 V、最大集电极电流 50 mA、隔离电压 1000 VDC，采用 TO-78-6 封装。

半导体 > 集成电路 > Optocouplers / Photocouplers > Transistor Output Optocouplers
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JAN4N48A

Optek / TT Electronics

该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 1 mA、最大集电极－发射极电压 40 V、最大集电极电流 50 mA、隔离电压 1000 VDC，采用 TO-78-6 封装。

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JAN4N48U

Optek / TT Electronics

该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Phototransistor、正向电流（If） 10 mA、最大集电极－发射极电压 45 V、最大集电极电流 5 mA、隔离电压 1000 Vrms。

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JANTX4N48

Optek / TT Electronics

该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 1 mA、最大集电极－发射极电压 40 V、最大集电极电流 50 mA、隔离电压 1000 VDC，采用 TO-78-6 封装。

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JANTX4N48A

Optek / TT Electronics

该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 1 mA、最大集电极－发射极电压 40 V、最大集电极电流 50 mA、隔离电压 1000 VDC，采用 TO-78-6 封装。

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JANTX4N48U

Optek / TT Electronics

该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Phototransistor、正向电流（If） 10 mA、最大集电极－发射极电压 45 V、最大集电极电流 5 mA、隔离电压 1000 Vrms。

半导体 > 集成电路 > Optocouplers / Photocouplers > Transistor Output Optocouplers
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JANTXV4N48

Optek / TT Electronics

该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 1 mA、最大集电极－发射极电压 40 V、最大集电极电流 50 mA、隔离电压 1000 VDC，采用 TO-78-6 封装。

半导体 > 集成电路 > Optocouplers / Photocouplers > Transistor Output Optocouplers
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JANTXV4N48A

Optek / TT Electronics

该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 1 mA、最大集电极－发射极电压 40 V、最大集电极电流 50 mA、隔离电压 1000 VDC，采用 TO-78-6 封装。

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JANTXV4N48U

Optek / TT Electronics

该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Phototransistor、正向电流（If） 10 mA、最大集电极－发射极电压 45 V、最大集电极电流 5 mA、隔离电压 1000 Vrms。

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