4N25S
Lite-On
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 10 mA、最大集电极－发射极电压 30 V、最大集电极电流 100 mA、隔离电压 2500 Vrms，采用 PDIP-6 Gull Wing 封装。
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4N25S
LITEON
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、隔离电压 2500 Vrms、电流传输比（最小值） 20 %、正向电流（If） 80 mA、正向电压（Vf） 1.5 V，采用 PDIP-6 Gull Wing 封装。
半导体 > 集成电路 > Optocouplers / Photocouplers > Transistor Output Optocouplers4N25S-TA
Lite-On
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 10 mA、最大集电极－发射极电压 30 V、最大集电极电流 100 mA、隔离电压 2500 Vrms，采用 PDIP-6 Gull Wing 封装。
半导体 > 集成电路 > Optocouplers / Photocouplers > Transistor Output Optocouplers4N25S-TA
LITEON
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、隔离电压 2500 Vrms、正向电流（If） 10 mA、正向电压（Vf） 1.5 V、最大集电极－发射极电压 30 V，采用 PDIP-6 Gull Wing 封装。
半导体 > 集成电路 > Optocouplers / Photocouplers > Transistor Output Optocouplers4N25S-TA1
Lite-On
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 80 mA、最大集电极－发射极电压 30 V、最大集电极电流 100 mA、隔离电压 2500 Vrms，采用 PDIP-6 Gull Wing 封装。
半导体 > 集成电路 > Optocouplers / Photocouplers > Transistor Output Optocouplers4N25S-TA1
LITEON
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、隔离电压 2500 Vrms、电流传输比（最小值） 20 %、正向电流（If） 80 mA、正向电压（Vf） 1.5 V，采用 PDIP-6 Gull Wing 封装。
半导体 > 集成电路 > Optocouplers / Photocouplers > Transistor Output Optocouplers4N25S-TA1-AD
LITEON
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Phototransistor、隔离电压 2500 Vrms、电流传输比（最小值） 20 %、正向电流（If） 80 mA、正向电压（Vf） 1.2 V，采用 SMD-6 封装。
半导体 > 集成电路 > Optocouplers / Photocouplers > Transistor Output Optocouplers4N25SM
ON Semiconductor / Fairchild
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 60 mA、最大集电极－发射极电压 30 V、隔离电压 7500 Vrms、最大集电极－发射极饱和电压 0.5 V，采用 PDIP-6 Gull Wing 封装。
半导体 > 集成电路 > Optocouplers / Photocouplers > Transistor Output Optocouplers4N25SR2M
ON Semiconductor / Fairchild
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 60 mA、最大集电极－发射极电压 30 V、隔离电压 7500 Vrms、最大集电极－发射极饱和电压 0.5 V，采用 SMD-DIP-6 封装。
半导体 > 集成电路 > Optocouplers / Photocouplers > Transistor Output Optocouplers4N25SR2VM
ON Semiconductor / Fairchild
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 60 mA、最大集电极－发射极电压 30 V、隔离电压 7500 Vrms、最大集电极－发射极饱和电压 0.5 V，采用 SMD-DIP-6 封装。
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