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来源:第三方数据源非原厂公告

1 个原型号
原型号

NCP4681DSQ28T1G

onsemi

查看详情 · 1 条候选
  • LP5951MGX-2.8/NOPBTexas Instruments相似型号

技术资料参考

芯片技术资料

52 条型号记录

型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。

4681

Adafruit

该型号为传感器,主要参数包括产品 Ambient Light Sensors、原产国家或地区 美国。

半导体 > Sensor ICs > Ambient Light Sensors
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1N4681

Microchip / Microsemi

该型号为二极管,主要参数包括稳压电压(Vz) 2.4 V、耗散功率(Pd) 500 mW、电压容差 5 %、稳压管电流 95 mA、最小工作温度 - 65 C、最大工作温度 + 175 C,采用 DO-35-2 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener Diodes
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1N4681

Microchip Technology

该型号为二极管,主要参数包括稳压电压(Vz) 2.4 V、耗散功率(Pd) 500 mW、电压容差 5 %、最大反向漏电流(Ir) 2 uA、最小工作温度 - 65 C、最大工作温度 + 175 C,采用 DO-35-2 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener Diodes
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1N4681 BK

Central Semiconductor

该型号为二极管,主要参数包括稳压电压(Vz) 2.4 V、耗散功率(Pd) 500 mW、电压容差 5 %、稳压管电流 2 uA、最小工作温度 - 65 C、最大工作温度 + 200 C,采用 DO-35 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener Diodes
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1N4681 BK PBFREE

Central Semiconductor

该型号为二极管,主要参数包括稳压电压(Vz) 2.4 V、耗散功率(Pd) 500 mW、最大反向漏电流(Ir) 2 uA、测试电流 50 uA、稳压管电流 95 mA,采用 DO-35 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener Diodes
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1N4681 BK TIN/LEAD

Central Semiconductor

该型号为二极管,主要参数包括稳压电压(Vz) 2.4 V、耗散功率(Pd) 500 mW、电压容差 5 %、最大反向漏电流(Ir) 2 uA、最小工作温度 - 65 C、最大工作温度 + 200 C,采用 DO-35-2 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener Diodes
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1N4681 TR

Central Semiconductor

该型号为二极管,主要参数包括型号别名 1N4681 PBFREE TR,采用 DO-35 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener Diodes
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1N4681 TR PBFREE

Central Semiconductor

该型号为二极管,主要参数包括稳压电压(Vz) 2.4 V、耗散功率(Pd) 500 mW、最大反向漏电流(Ir) 2 uA、测试电流 50 uA、稳压管电流 95 mA,采用 DO-35 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener Diodes
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1N4681 TR TIN/LEAD

Central Semiconductor

该型号为二极管,主要参数包括稳压电压(Vz) 2.4 V、耗散功率(Pd) 500 mW、电压容差 5 %、最大反向漏电流(Ir) 2 uA、最小工作温度 - 65 C、最大工作温度 + 200 C,采用 DO-35-2 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener Diodes
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1N4681/TR

Microchip / Microsemi

该型号为二极管,主要参数包括稳压电压(Vz) 2.4 V、耗散功率(Pd) 500 mW、电压容差 5 %、稳压管电流 190 mA、最小工作温度 - 65 C、最大工作温度 + 175 C,采用 DO-35-2 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener Diodes
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