NCP4681DSQ28T1G
onsemi
- LP5951MGX-2.8/NOPBTexas Instruments相似型号
技术资料参考
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Adafruit
该型号为传感器,主要参数包括产品 Ambient Light Sensors、原产国家或地区 美国。
半导体 > Sensor ICs > Ambient Light SensorsMicrochip / Microsemi
该型号为二极管,主要参数包括稳压电压(Vz) 2.4 V、耗散功率(Pd) 500 mW、电压容差 5 %、稳压管电流 95 mA、最小工作温度 - 65 C、最大工作温度 + 175 C,采用 DO-35-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesMicrochip Technology
该型号为二极管,主要参数包括稳压电压(Vz) 2.4 V、耗散功率(Pd) 500 mW、电压容差 5 %、最大反向漏电流(Ir) 2 uA、最小工作温度 - 65 C、最大工作温度 + 175 C,采用 DO-35-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesCentral Semiconductor
该型号为二极管,主要参数包括稳压电压(Vz) 2.4 V、耗散功率(Pd) 500 mW、电压容差 5 %、稳压管电流 2 uA、最小工作温度 - 65 C、最大工作温度 + 200 C,采用 DO-35 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesCentral Semiconductor
该型号为二极管,主要参数包括稳压电压(Vz) 2.4 V、耗散功率(Pd) 500 mW、最大反向漏电流(Ir) 2 uA、测试电流 50 uA、稳压管电流 95 mA,采用 DO-35 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesCentral Semiconductor
该型号为二极管,主要参数包括稳压电压(Vz) 2.4 V、耗散功率(Pd) 500 mW、电压容差 5 %、最大反向漏电流(Ir) 2 uA、最小工作温度 - 65 C、最大工作温度 + 200 C,采用 DO-35-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesCentral Semiconductor
该型号为二极管,主要参数包括型号别名 1N4681 PBFREE TR,采用 DO-35 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesCentral Semiconductor
该型号为二极管,主要参数包括稳压电压(Vz) 2.4 V、耗散功率(Pd) 500 mW、最大反向漏电流(Ir) 2 uA、测试电流 50 uA、稳压管电流 95 mA,采用 DO-35 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesCentral Semiconductor
该型号为二极管,主要参数包括稳压电压(Vz) 2.4 V、耗散功率(Pd) 500 mW、电压容差 5 %、最大反向漏电流(Ir) 2 uA、最小工作温度 - 65 C、最大工作温度 + 200 C,采用 DO-35-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesMicrochip / Microsemi
该型号为二极管,主要参数包括稳压电压(Vz) 2.4 V、耗散功率(Pd) 500 mW、电压容差 5 %、稳压管电流 190 mA、最小工作温度 - 65 C、最大工作温度 + 175 C,采用 DO-35-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener Diodes