40250
Central Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 TO-66-2 封装。
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D10040250GT
Qorvo
主要参数包括工作电源电压 24 V、工作频率 40 MHz to 1 GHz、测试频率 1 GHz、技术 GaAs、类型 CATV Amplifier、增益 24 dB。
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF AmplifierD10040250GTH
Qorvo
主要参数包括工作电源电压 24 V、工作频率 40 MHz to 1 GHz、测试频率 1 GHz、技术 GaAs、类型 CATV Amplifier、增益 24 dB。
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF AmplifierMBR40250C-BP
Micro Commercial Components (MCC)
该型号为二极管。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & RectifiersMBR40250G
ON Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括工作温度范围 - 65 C to + 150 C、技术 Si、类型 Schottky Diode、产品 Schottky Diodes、正向电流（If） 40 A、重复反向电压（Vrrm） 250 V，采用 TO-220-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & RectifiersMBR40250G
onsemi
该型号为二极管，主要参数包括技术 Si、产品 Schottky Diodes、配置 Single、正向电流（If） 40 A、重复反向电压（Vrrm） 250 V、正向电压（Vf） 970 mV，采用 TO-220-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & RectifiersMBR40250TG
ON Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括工作温度范围 - 65 C to + 150 C、技术 Si、类型 Schottky Diode、产品 Schottky Diodes、正向电流（If） 40 A、重复反向电压（Vrrm） 250 V，采用 TO-220-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & RectifiersMBR40250TG
onsemi
该型号为二极管，主要参数包括技术 Si、产品 Schottky Diodes、配置 Single Dual Anode、正向电流（If） 40 A、重复反向电压（Vrrm） 250 V、正向电压（Vf） 970 mV，采用 TO-220-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & RectifiersMBRB40250C-TP
Micro Commercial Components (MCC)
该型号为二极管。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & RectifiersMBRB40250TG
ON Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括工作温度范围 - 65 C to + 150 C、技术 Si、产品 Schottky Rectifiers、正向电流（If） 40 A、重复反向电压（Vrrm） 250 V、正向电压（Vf） 0.86 V，采用 D2PAK 封装。
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