2SCR372PT100Q
ROHM Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、最大集电极－发射极电压（VCEO） 120 V、集电极－基极电压（VCBO） 120 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、增益带宽积（fT） 220 MHz、最大直流电流增益（hFE） 390 mA，采用 MPT-3 封装。
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