2SC6144SG
ON Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、连续集电极电流 10 A、最小直流电流增益（hfe） 200、耗散功率（Pd） 25 W，采用 TO-220F-3 封装。
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2SC6144SG
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该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 10 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V，采用 TO-220F-3 封装。
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