2SC5087YTE85LF
Toshiba
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、最小直流电流增益（hfe） 80、最大集电极－发射极电压（VCEO） 12 V、发射极－基极电压（VEBO） 3 V、连续集电极电流 80 mA，采用 SOT-24-4 封装。
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