2SAR562F3TR
ROHM Semiconductor
该型号为晶体管,主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极-发射极电压(VCEO) - 30 V、集电极-基极电压(VCBO) - 30 V、发射极-基极电压(VEBO) - 6 V,采用 DFN2020-3S 封装。
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ROHM Semiconductor
该型号为晶体管,主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极-发射极电压(VCEO) - 30 V、集电极-基极电压(VCBO) - 30 V、发射极-基极电压(VEBO) - 6 V,采用 DFN2020-3S 封装。
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