2N718A
Central Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 32 V、集电极－基极电压（VCBO） 75 V、发射极－基极电压（VEBO） 7 V、集电极－发射极饱和电压 1.5 V，采用 TO-18 封装。
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2N718A PBFREE
Central Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 750 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 32 V、集电极－基极电压（VCBO） 75 V，采用 TO-18-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT2N718A TIN/LEAD
Central Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT2N718A/TR
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 30 V、集电极－基极电压（VCBO） 75 V、发射极－基极电压（VEBO） 7 V，采用 TO-18-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTJan2N718A
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si，采用 $11.59 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTJantx2N718A
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTJantxv2N718A
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si。
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