2N657A
Central Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、集电极－基极电压（VCBO） 100 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、增益带宽积（fT） 50 MHz，采用 TO-39-3 封装。
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芯片技术资料
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2N657A
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT2N657A PBFREE
Central Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 250 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 100 V、集电极－基极电压（VCBO） 100 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT2N657A TIN/LEAD
Central Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 100 V、集电极－基极电压（VCBO） 100 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V，采用 TO-39-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT2N657AL
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTSTM32N657A0H3Q
STMicroelectronics
该型号为微控制器（MCU），主要参数包括最大时钟频率 800 MHz、程序存储容量 1 KB、数据 RAM 容量 4.2 MB、ADC 分辨率 12 位、输入／输出数 90 个输入／输出、定时器／计数器数 8 x 16 bit, 1 x 32 bit，采用 VFBGA-169 封装。
半导体 > 嵌入式处理器与控制器 > Microcontrollers - MCU > ARM Microcontrollers - MCUSTM32N657A0H3QTR
STMicroelectronics
该型号为微控制器（MCU），主要参数包括原产国家或地区 中国台湾、商品名称 STM32。
半导体 > 嵌入式处理器与控制器 > Microcontrollers - MCU > ARM Microcontrollers - MCU