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5 条型号记录

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Central Semiconductor

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 TO-66-2 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT

Microchip / Microsemi

该型号为晶体管。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Darlington Transistors

Microchip Technology

该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区菲律宾。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Darlington Transistors

Central Semiconductor

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 4 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT

Central Semiconductor

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 8 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V，采用 TO-66-2 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT