2N6212Microchip / Microsemi该型号为晶体管,主要参数包括晶体管极性 NPN。半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT查看技术资料
2N6212Central Semiconductor该型号为晶体管,主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极-发射极电压(VCEO) 300 V、集电极-基极电压(VCBO) 350 V、发射极-基极电压(VEBO) 6 V,采用 TO-66-2 封装。半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT查看技术资料