2N5458Central Semiconductor主要参数包括类型 JFET、晶体管极性 N-Channel、配置 Single、漏源击穿电压(Vds) 25 V、栅源击穿电压(Vgs) 25 V、栅源电压为零时的漏源电流 2~9 mA,采用 TO-92 封装。半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > JFET查看技术资料
2N5458 PBFREECentral Semiconductor主要参数包括技术 Si、晶体管极性 N-Channel、原产国家或地区 IN、单件重量 0.016000 oz。半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > JFETs查看技术资料