2N5225
Central Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 25 V、集电极－基极电压（VCBO） 25 V、发射极－基极电压（VEBO） 4 V、集电极－发射极饱和电压 0.8 V，采用 TO-92-3 封装。
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2N5225 PBFREE
Central Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区 韩国、单件重量 0.007266 oz。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT2N5225 TIN/LEAD
Central Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、集电极－基极电压（VCBO） 25 V、发射极－基极电压（VEBO） 4 V、集电极－发射极饱和电压 800 mV，采用 TO-92-3 封装。
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