2N5086
Central Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 3 V、集电极－发射极饱和电压 0.3 V，采用 TO-92-3 封装。
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2N5086 APM PBFREE
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该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、集电极－发射极饱和电压 300 mV。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT2N5086 APM TIN/LEAD
Central Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、集电极－发射极饱和电压 300 mV。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT2N5086 APP PBFREE
Central Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 3 V，采用 TO-92-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT2N5086 APP TIN/LEAD
Central Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 3 V，采用 TO-92-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT2N5086 PBFREE
Central Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、集电极－发射极饱和电压 300 mV、原产国家或地区 韩国、单件重量 0.016000 oz。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT2N5086 TIN/LEAD
Central Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 3 V，采用 TO-92-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT2N5086 TRA PBFREE
Central Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 3 V，采用 TO-92-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT2N5086 TRA TIN/LEAD
Central Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 3 V，采用 TO-92-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT2N5086 TRE PBFREE
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该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、集电极－发射极饱和电压 300 mV。
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