2N4399
Central Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、集电极－发射极饱和电压 4 V、最大直流集电极电流 30 A、增益带宽积（fT） 4 MHz，采用 TO-3-2 封装。
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2N4399
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管。
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Microchip Technology
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、原产国家或地区 美国。
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Microchip / Microsemi
该型号为晶体管。
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Microchip / Microsemi
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si，采用 Through Hole 封装。
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