2N4261UB
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管。
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2N4261UB/TR
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 15 V、集电极－基极电压（VCBO） - 15 V、发射极－基极电压（VEBO） - 4.5 V，采用 LCC-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTJAN2N4261UB
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管。
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该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 15 V、集电极－基极电压（VCBO） - 15 V、发射极－基极电压（VEBO） - 4.5 V，采用 LCC-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTJANTX2N4261UB/TR
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该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 15 V、集电极－基极电压（VCBO） - 15 V、发射极－基极电压（VEBO） - 4.5 V，采用 SMD-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTJANTXV2N4261UB
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTJANTXV2N4261UB/TR
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 15 V、集电极－基极电压（VCBO） - 15 V、发射极－基极电压（VEBO） - 4.5 V，采用 LCC-3 封装。
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