2N4240
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管。
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2N4240
Central Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 300 V、集电极－基极电压（VCBO） 500 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V，采用 TO-66-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT2N4240
Microchip Technology
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 2 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 300 V、集电极－基极电压（VCBO） 500 V。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT2N4240 PBFREE
Central Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、原产国家或地区 PT。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT2N4240 TIN/LEAD
Central Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 300 V、集电极－基极电压（VCBO） 500 V、集电极－发射极饱和电压 1 V，采用 TO-66-2 封装。
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