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4 条型号记录

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2N3879

Microchip / Microsemi

该型号为晶体管。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT
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2N3879

Microchip Technology

该型号为晶体管,主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 7 A、最大集电极-发射极电压(VCEO) 75 V、集电极-基极电压(VCBO) 120 V。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT
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Jantx2N3879

Microchip / Microsemi

该型号为晶体管。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT
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Jantxv2N3879

Microchip / Microsemi

该型号为晶体管。

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