2N3819
Central Semiconductor
该型号为射频结型场效应晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管类型 JFET、类型 JFET、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 25 V、栅源击穿电压（Vgs） 25 V，采用 TO-92 封装。
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芯片技术资料
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2N3819 APM PBFREE
Central Semiconductor
主要参数包括技术 Si、晶体管极性 N-Channel、原产国家或地区 IN，采用 TO-92-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > JFETs2N3819 APM TIN/LEAD
Central Semiconductor
主要参数包括技术 Si、晶体管极性 N-Channel，采用 TO-92-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > JFETs2N3819 PBFREE
Central Semiconductor
主要参数包括技术 Si、原产国家或地区 IN、单件重量 0.007266 oz，采用 TO-92-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > JFETs2N3819 TIN/LEAD
Central Semiconductor
主要参数包括技术 Si、晶体管极性 N-Channel、原产国家或地区 IN，采用 TO-92-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > JFETs2N3819 TRE PBFREE
Central Semiconductor
主要参数包括技术 Si、晶体管极性 N-Channel、原产国家或地区 IN，采用 TO-92-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > JFETs2N3819 TRE TIN/LEAD
Central Semiconductor
主要参数包括技术 Si、晶体管极性 N-Channel，采用 TO-92-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > JFETs