2N3584
Central Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、最大集电极－发射极电压（VCEO） 250 V、集电极－基极电压（VCBO） 375 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、集电极－发射极饱和电压 750 mV、最大直流集电极电流 2 A，采用 TO-66-2 封装。
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2N3584
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管，采用 TO-66-2 封装。
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Microchip Technology
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、原产国家或地区 美国，采用 TO-66-2 封装。
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Microchip / Microsemi
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si。
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Microchip / Microsemi
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si。
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