2N3500U4
Microchip Technology
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 150 V、集电极－基极电压（VCBO） 150 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V，采用 U4-3 封装。
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2N3500U4/TR
Microchip Technology
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 300 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 150 V、集电极－基极电压（VCBO） 150 V，采用 SMD-0.22-3 封装。
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