2N3442
Central Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、最大集电极－发射极电压（VCEO） 160 V、集电极－基极电压（VCBO） 160 V、发射极－基极电压（VEBO） 7 V、集电极－发射极饱和电压 5 V、最大直流集电极电流 10 A，采用 TO-3-2 封装。
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2N3442
Microchip Technology
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、单件重量 0.225789 oz，采用 TO-3 (TO-204AA-2) 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT2N3442G
ON Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 140 V、集电极－基极电压（VCBO） 160 V、发射极－基极电压（VEBO） 7 V、集电极－发射极饱和电压 5 V，采用 TO-204-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTJan2N3442
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTJantx2N3442
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTJantxv2N3442
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT