2N2946A
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT搜索结果
技术资料参考
芯片技术资料
型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
查看技术资料
2N2946A
Microchip Technology
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、原产国家或地区 菲律宾。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT2N2946A/TR
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 40 V、集电极－基极电压（VCBO） - 40 V、发射极－基极电压（VEBO） - 40 V，采用 TO-46-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT2N2946AUB
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT2N2946AUB
Microchip Technology
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT2N2946AUB/TR
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 40 V、集电极－基极电压（VCBO） - 40 V、发射极－基极电压（VEBO） - 40 V，采用 SMD-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT2N2946AUB/TR
Microchip Technology
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 100 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 40 V，采用 SMD-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTJantx2N2946A
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTJantx2N2946A/TR
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 35 V、集电极－基极电压（VCBO） - 40 V、发射极－基极电压（VEBO） - 40 V，采用 TO-46-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT