2N2906
Central Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 TO-18 封装。
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2N2906A
Central Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 2.6 V，采用 TO-18 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT2N2906A/TR
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 TO-18-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT2N2906AL
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管，采用 TO-18-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT2N2906AL
Microchip Technology
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si，采用 TO-18-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT2N2906AUA
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管，采用 TO-18-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT2N2906AUA
Microchip Technology
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si，采用 TO-18-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT2N2906AUA/TR
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 LCC-4 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT2N2906AUA/TR
Microchip Technology
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 600 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V，采用 LCC-4 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT2N2906AUB
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管，采用 LCC-3 封装。
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