2N2905Ae3Microchip / Microsemi该型号为晶体管,主要参数包括技术 Si。半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT查看技术资料
2N2905Ae3Microchip Technology该型号为晶体管,主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 600 mA、最大集电极-发射极电压(VCEO) 60 V、集电极-基极电压(VCBO) 60 V,采用 TO-39-3 封装。半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT查看技术资料