2N2857
Central Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 15 V、集电极－基极电压（VCBO） 30 V、发射极－基极电压（VEBO） 2.5 V、最大直流集电极电流 40 mA，采用 TO-72-3 封装。
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2N2857 PBFREE
Central Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 40 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 15 V、集电极－基极电压（VCBO） 30 V、发射极－基极电压（VEBO） 2.5 V，采用 TO-72 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT2N2857 TIN/LEAD
Central Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 15 V、集电极－基极电压（VCBO） 30 V、发射极－基极电压（VEBO） 2.5 V，采用 TO-72-4 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT2N2857/TR
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管类型 Bipolar、晶体管极性 NPN、最小直流电流增益（hfe） 30、最大集电极－发射极电压（VCEO） 15 V、发射极－基极电压（VEBO） 3 V，采用 TO-72-4 封装。
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Transistors RF > RF Bipolar TransistorsJAN2N2857UB
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTJAN2N2857UB/TR
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管类型 Bipolar、晶体管极性 NPN、最小直流电流增益（hfe） 30、最大集电极－发射极电压（VCEO） 15 V、发射极－基极电压（VEBO） 3 V，采用 UB-3 封装。
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Transistors RF > RF Bipolar TransistorsJANTX2N2857/TR
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管类型 Bipolar、晶体管极性 NPN、最小直流电流增益（hfe） 30、最大集电极－发射极电压（VCEO） 15 V、发射极－基极电压（VEBO） 3 V，采用 TO-72-4 封装。
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Transistors RF > RF Bipolar TransistorsJANTXV2N2857UB/TR
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管类型 Bipolar、晶体管极性 NPN、最小直流电流增益（hfe） 30、最大集电极－发射极电压（VCEO） 15 V、发射极－基极电压（VEBO） 3 V，采用 UB-3 封装。
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