2N2102SMicrochip Technology该型号为晶体管,主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 1 A、最大集电极-发射极电压(VCEO) 65 V、集电极-基极电压(VCBO) 120 V,采用 TO-5-3 封装。半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT查看技术资料