2N1482
Central Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、最大集电极－发射极电压（VCEO） 55 V、集电极－基极电压（VCBO） 100 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、集电极－发射极饱和电压 1.4 V、最大直流集电极电流 1.5 A，采用 TO-39-3 封装。
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2N1482
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管，采用 TO-5-3 封装。
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Microchip Technology
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si，采用 TO-5-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTJan2N1482
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si。
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