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Microchip / Microsemi
主要参数包括类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 200 V、正向电流（If） 1 A、配置 Single、正向电压（Vf） 0.8 V、最大浪涌电流 30 A，采用 Package-A-2 封装。
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Microchip Technology
主要参数包括类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 200 V、正向电流（If） 1 A、配置 Single、正向电压（Vf） 800 mV、最大浪涌电流 30 A，采用 Package-A-2 封装。
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Microchip / Microsemi
主要参数包括类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 200 V、正向电流（If） 3 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1.6 V、最大浪涌电流 25 A，采用 D-5A-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Rectifiers1n5615us/TR
Microchip Technology
主要参数包括类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 200 V、正向电流（If） 3 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1.6 V、最大浪涌电流 25 A，采用 D-5A-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersJAN1N5615US
Microchip / Microsemi
主要参数包括类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 200 V、正向电流（If） 1 A、配置 Single、正向电压（Vf） 0.8 V、最大浪涌电流 25 A，采用 D-5A 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersJAN1N5615US/TR
Microchip / Microsemi
主要参数包括类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 200 V、正向电流（If） 1 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1.6 V、最大浪涌电流 25 A，采用 A-Package-2 封装。
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Microchip / Microsemi
主要参数包括原产国家或地区 美国、产品 Rectifiers，采用 D-5A-2 封装。
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Microchip / Microsemi
主要参数包括类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 200 V、正向电流（If） 1 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1.6 V、最大浪涌电流 25 A，采用 A-Package-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersJANTX1N5615US
Microchip / Microsemi
主要参数包括类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 200 V、正向电流（If） 1 A、正向电压（Vf） 1.6 V、最大浪涌电流 30 A、反向电流（Ir） 500 nA。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersJANTX1N5615US/TR
Microchip / Microsemi
主要参数包括类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 200 V、正向电流（If） 1 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1.6 V、最大浪涌电流 25 A，采用 A-Package-2 封装。
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