1N747A
Microchip / Microsemi
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 3.6 V、耗散功率（Pd） 500 mW、电压容差 5 %、电压温度系数 - 0.065 %/C、稳压管电流 3 uA、稳压管阻抗（Zz） 22 Ω，采用 DO-35-2 封装。
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1N747A
Central Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 3.6 V、耗散功率（Pd） 500 mW、电压容差 5 %、稳压管电流 100 mA、稳压管阻抗（Zz） 24 Ω、最小工作温度 - 65 C，采用 DO-35-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener Diodes1N747A
Microchip Technology
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 3.6 V、耗散功率（Pd） 500 mW、电压容差 5 %、最大反向漏电流（Ir） 3 uA、稳压管阻抗（Zz） 24 Ω、最小工作温度 - 65 C，采用 DO-35-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener Diodes1N747A BK
Central Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括型号别名 1N747A BK PBFREE，采用 DO-35 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener Diodes1N747A BK PBFREE
Central Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 3.6 V、耗散功率（Pd） 500 mW、最大反向漏电流（Ir） 10 uA、测试电流 20 mA、原产国家或地区 美国、稳压管电流 100 mA，采用 DO-35 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener Diodes1N747A BK TIN/LEAD
Central Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 3.6 V、耗散功率（Pd） 500 mW、电压容差 5 %、最大反向漏电流（Ir） 10 uA、稳压管阻抗（Zz） 24 Ω、最小工作温度 - 65 C，采用 DO-35 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener Diodes1N747A TR
Central Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括型号别名 1N747A PBFREE TR，采用 DO-35 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener Diodes1N747A TR PBFREE
Central Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 3.6 V、耗散功率（Pd） 500 mW、最大反向漏电流（Ir） 10 uA、测试电流 20 mA、原产国家或地区 美国、稳压管电流 100 mA，采用 DO-35 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener Diodes1N747A TR TIN/LEAD
Central Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 3.6 V、耗散功率（Pd） 500 mW、电压容差 5 %、最大反向漏电流（Ir） 10 uA、稳压管阻抗（Zz） 24 Ω、最小工作温度 - 65 C，采用 DO-35 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener Diodes1N747A-1
Microchip / Microsemi
该型号为二极管，主要参数包括单件重量 0.004833 oz，采用 DO-35-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener Diodes