1N6331
Microchip / Microsemi
该型号为二极管，主要参数包括单件重量 0.004833 oz，采用 DO-35-2 封装。
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1N6331US
Microchip / Microsemi
该型号为二极管。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesJAN1N6331
Microchip / Microsemi
该型号为二极管，主要参数包括直径 2.29 mm、长度 5.08 mm、端接方式 Axial、单件重量 0.004586 oz，采用 DO-35-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesJAN1N6331US
Microchip / Microsemi
该型号为二极管，主要参数包括高度 2.16 mm、长度 4.95 mm、端接方式 表面贴装（SMD/SMT）、宽度 2.16 mm、单件重量 0.019013 oz，采用 B-SQ-MELF-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesJANS1N6331US/TR
Microchip / Microsemi
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 20 V、耗散功率（Pd） 500 mW、电压容差 5 %、最大反向漏电流（Ir） 50 nA、稳压管阻抗（Zz） 18 Ω、最小工作温度 - 65 C，采用 B-SQ-MELF-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesJANTX1N6331US
Microchip / Microsemi
该型号为二极管，主要参数包括高度 2.62 mm、长度 5.08 mm、端接方式 表面贴装（SMD/SMT）、宽度 2.62 mm，采用 D-5A-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesJANTX1N6331US/TR
Microchip / Microsemi
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 20 V、耗散功率（Pd） 0.5 W、电压容差 5 %、电压温度系数 0.086 %/C、稳压管电流 21 mA、稳压管阻抗（Zz） 18 Ω，采用 B-SQ-MELF-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesJANTXV1N6331
Microchip / Microsemi
该型号为二极管，主要参数包括直径 2.29 mm、长度 5.08 mm、端接方式 Axial、单件重量 0.004586 oz，采用 DO-35-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesJANTXV1N6331US/TR
Microchip / Microsemi
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 20 V、耗散功率（Pd） 0.5 W、电压容差 5 %、电压温度系数 0.086 %/C、稳压管电流 21 mA、稳压管阻抗（Zz） 18 Ω，采用 B-SQ-MELF-2 封装。
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