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4 条型号记录

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1N5917C

Microchip / Microsemi

该型号为二极管,主要参数包括稳压电压(Vz) 4.7 V、耗散功率(Pd) 1.25 W、电压容差 2 %、稳压管电流 319 mA、稳压管阻抗(Zz) 5 Ω、最小工作温度 - 65 C,采用 DO-41-2 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener Diodes
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1N5917C

Microchip Technology

该型号为二极管,主要参数包括稳压电压(Vz) 4.7 V、耗散功率(Pd) 1.25 W、电压容差 2 %、最大反向漏电流(Ir) 5 uA、稳压管阻抗(Zz) 5 Ω、最小工作温度 - 65 C,采用 DO-41-2 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener Diodes
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1N5917C G

Microchip / Microsemi

该型号为二极管。

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1N5917CG

Microchip Technology

该型号为二极管,主要参数包括稳压电压(Vz) 4.7 V、耗散功率(Pd) 1.25 W、电压容差 2 %、最大反向漏电流(Ir) 5 uA、稳压管阻抗(Zz) 5 Ω、最小工作温度 - 65 C,采用 DO-41-2 封装。

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