1N5819G
ON Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括工作温度范围 - 65 C to + 125 C、技术 Si、类型 Schottky Diode、产品 Schottky Rectifiers、正向电流（If） 1 A、重复反向电压（Vrrm） 40 V，采用 DO-41 封装。
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1N5819G
onsemi
该型号为二极管，主要参数包括技术 Si、产品 Schottky Rectifiers、配置 Single、正向电流（If） 1 A、重复反向电压（Vrrm） 40 V、正向电压（Vf） 900 mV，采用 DO-41 封装。
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Microchip Technology
该型号为二极管，主要参数包括原产国家或地区 菲律宾。
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