1N5818
STMicroelectronics
该型号为二极管，主要参数包括工作温度范围 + 150 C、技术 Si、类型 Schottky Rectifier、产品 Schottky Rectifiers、正向电流（If） 1 A、重复反向电压（Vrrm） 30 V，采用 DO-41 封装。
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芯片技术资料
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1N5818
ON Semiconductor / Fairchild
该型号为二极管，主要参数包括工作温度范围 - 65 C to + 125 C、技术 Si、类型 Schottky Diode、产品 Schottky Rectifiers、正向电流（If） 1 A、重复反向电压（Vrrm） 30 V，采用 DO-41 封装。
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Taiwan Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括技术 Si、产品 Schottky Rectifiers、配置 Single、正向电流（If） 1 A、重复反向电压（Vrrm） 30 V、正向电压（Vf） 875 mV，采用 DO-41 封装。
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Diotec Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括技术 Si、产品 Schottky Diodes、配置 Single、正向电流（If） 1 A、重复反向电压（Vrrm） 30 V、正向电压（Vf） 875 mV，采用 DO-15 封装。
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Microchip Technology
该型号为二极管，主要参数包括原产国家或地区 菲律宾。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & Rectifiers1N5818 BK
Central Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括技术 Si、型号别名 1N5818 BK PBFREE，采用 DO-41 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & Rectifiers1N5818 BK PBFREE
Central Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括技术 Si、产品 Schottky Rectifiers、配置 Single、原产国家或地区 美国。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & Rectifiers1N5818 BK TIN/LEAD
Central Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括技术 Si、产品 Schottky Rectifiers、配置 Single、正向电流（If） 1 A、重复反向电压（Vrrm） 30 V、正向电压（Vf） 330 mV，采用 DO-41 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & Rectifiers1N5818 R0
Taiwan Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括工作温度范围 - 65 C to + 125 C、技术 Si、产品 Schottky Rectifiers、正向电流（If） 1 A、重复反向电压（Vrrm） 30 V、正向电压（Vf） 0.875 V，采用 DO-41 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & Rectifiers1N5818 R0G
Taiwan Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括技术 Si。
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